公开/公告号CN107492573A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-12-19
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201710432441.2
发明设计人 谢瑞龙;卡瑞妮·B·拉贝尔;成敏圭;
申请日2017-06-09
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-06-19 04:06:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20170609
实质审查的生效
2017-12-19
公开
公开
机译: 在形成FinFET半导体器件时去除至少一个鳍结构的一部分以形成隔离区的方法
机译: 具有鳍结构的半导体器件以及形成具有鳍结构的半导体器件的方法
机译: 具有鳍结构的半导体器件以及形成具有鳍结构的半导体器件的方法