具有异质结构量子阱沟道的三维存储器器件

摘要

可以在延伸穿过包括控制栅电极的多个导电层的垂直半导体沟道中形成被限制在二维圆柱形区域的圆柱形限制的电子气。在存储器开口中的存储器膜被插入在垂直半导体沟道和导电层之间。垂直半导体沟道包括更宽带隙的半导体材料和窄带隙半导体材料。在更宽带隙的半导体材料和窄带隙半导体材料之间的界面处形成圆柱形限制的电子气。作为二维电子气，圆柱形限制的电子气可以为垂直半导体沟道提供高电荷载流子迁移率，其可以有利地用于为三维存储器器件提供更高的性能。