具有降低的栅致漏极泄漏电流的模拟开关

摘要

公开了一种在一个实施例中的包括模拟开关的装置，该模拟开关具有在开关输入和开关输出之间与PMOS电路(204)并联的NMOS电路(202)。模拟开关(102)响应确定开关状态的使能信号。NMOS电路(202)包括耦接到缓冲N沟道晶体管的开关N沟道晶体管，开关N沟道晶体管的栅极耦接到使能信号且缓冲N沟道晶体管的栅极耦接到调制N沟道晶体管栅极电压。PMOS电路(204)包括耦接到缓冲P沟道晶体管的开关P沟道晶体管，开关P沟道晶体管的栅极耦接到使能信号的反相且缓冲P沟道晶体管的栅极耦接到调制P沟道栅极电压。控制电路(208)耦接到模拟开关(102)以提供调制N沟道和P沟道栅极电压，每个都可基于开关状态在相应的电源电压和GIDL降低电压之间变化。