使用绝缘体上硅类型技术的特别用于高压的 MOS 晶体管结构

摘要

使用绝缘体上硅类型衬底形成的一种集成电路，其中所述衬底包括载体衬底以及载体衬底上部上的掩埋绝缘层和半导体薄膜堆叠。无堆叠的第一区域使包括堆叠的第二区域与也包括堆叠的第三区域分离。MOS晶体管具有通过第二区域中的掩埋绝缘层的部分形成的栅极介电区域，以及通过第二区域中的半导体薄膜的部分形成的栅极区域。载体衬底包含位于第一区域下方的掺杂区域，其形成MOS晶体管的源极区域和漏极区域的至少一部分。