一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法

摘要

本发明涉及一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法。该方法采用温度梯度区域熔炼法，辅以合适助熔剂，在晶体相变点温度下生长，具体步骤包括：①生长坩埚预处理；②原料配置；③升温；④晶体生长；⑤降温；⑥清洗。采用本发明方法生长的磷锗锌单晶具有缺陷少、近红外残余吸收低等特点，解决了目前常规磷锗锌晶体生长方法中存在的生长温度高、近红外残余吸收大等问题。