一种铝镓合金及其制备方法、氢氧化铝纳米棒及其制备方法

摘要

本发明涉及一种铝镓合金及其制备方法、氢氧化铝纳米棒及其制备方法，属于纳米氢氧化铝制备技术领域。本发明铝镓合金中Ga、In、Sn的质量百分比之和为5～15％，所述Ga、In、Sn的质量比为65:22:13，余量为Al和不可避免的杂质。本发明铝镓合金，可用于制备氢氧化铝纳米棒，Ga、In、Sn所形成的低熔点相(Ga‑In‑Sn共晶，GIS)覆盖在铝晶粒表面，不但破坏铝氧化膜的完整性，还为参与反应的铝提供扩散通道，可大幅缩短铝水反应时间，提高反应效率。