用于大电阻的亚阈值金属氧化物半导体

摘要

本公开的某些方面通常涉及产生大电阻。一个示例性电路通常包括第一晶体管210、220，具有栅极、与电路的第一节点214连接的源极、以及与电路的第二节点216连接的漏极。电路也可以包括连接在第一晶体管的栅极和源极之间的电压限制装置224、226，其中如果正向偏置配置装置以限制第一晶体管的栅极至源极电压以使得第一晶体管操作在亚阈值区域中。电路进一步包括配置用于采用电流偏置电压限制装置的第二晶体管212、222，其中第二晶体管的漏极与第一晶体管的栅极连接，第二晶体管的栅极与第一节点连接，以及第二晶体管的源极与电势连接。