用于控制晶片内工艺均匀性的方法和装置

摘要

本发明涉及用于控制晶片内工艺均匀性的方法和装置。衬底处理系统包括气体分配装置，所述气体分配装置被布置成将工艺气体分配在布置在具有上室区域和下室区域的衬底处理室中的衬底的表面上。衬底支撑件布置在所述衬底处理室的所述下室区域中，位于所述气体分配装置下方。圈布置在所述衬底处理室的所述下室区域中，位于所述气体分配装置下方且在所述衬底支撑件上方。所述圈设置成围绕所述气体分配装置的面板以及围绕所述气体分配装置与所述衬底支撑件之间的区域，并且在所述衬底支撑件和所述圈之间限定间隙。