一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法

摘要

本发明提出一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，包括下列步骤：根据器件的不同功能来定义扫描区域，设定不同的扫描参数；对定义的不同区域图形和光强调试时反映的数据进行分析，作为区分不同区域的特性并记录；对后续的工艺层建立缺陷扫描方程式时，增加对当前层的图形和光强分析，根据之前不同区域所表征的特性重新定义不同的扫描区域；若无法对应到之前所记录的区域特性，系统提示额外增加新的扫描区域。本发明提出的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，针对不同工艺层图形变化较大的情况下重新精确定义扫描区域的方法，避免扫描区域不够精确发生缺陷反馈不准确，导致问题判断失误。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法。

背景技术

近年来，随着半导体集成电路的迅速发展与关键尺寸按比例缩小，其制造工艺也变得越发复杂。目前先进的集成电路制造工艺一般都包含几百个工艺步骤，其中的一个步骤出现问题就会引起整个半导体集成电路芯片的问题，严重的还可能导致整个芯片的失效，所以在半导体集成电路的制造过程中，对产品制造工艺中存在的问题进行及时地发现就显得尤为重要。基于上述考虑，业界一般通过缺陷检测来控制制造工艺中的缺陷问题，来提升产品良率。

随着集成电路行业的飞速发展，各家公司在产品研发的过程中都趋向于多元化，为了能够保证产品的安全生产，建立完善的缺陷扫描系统是极其必要的，而且缺陷扫描的准确性对一些重大问题的判断尤显重要。

目前线上传统的建立缺陷扫描方程式的方法是在产品刚下线第一道光罩曝光之后建立第一个缺陷扫描母方程式，根据器件的不同功能来划分不同扫描区域(如SRAM,LOGIC,FULL等)，之后所有工艺层的扫描方程式都根据第一个母程式定义的扫描区域建立。但由于后续工艺的进行，发现不同工艺层之间器件表面的图形相比于之前都在发生变化，最开始定义的扫描区域有些已经不适用于后面的工艺层，这样可能导致的结果是扫描区域的定义不够精确，反映的缺陷数据不够准确，会导致一些问题判断的失误。

发明内容

本发明提出的是一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，针对不同工艺层图形变化较大的情况下重新精确定义扫描区域的方法，避免扫描区域不够精确发生缺陷反馈不准确，导致问题判断失误。

为了达到上述目的，本发明提出一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，包括下列步骤：

根据器件的不同功能来定义扫描区域，设定不同的扫描参数；

对定义的不同区域图形和光强调试时反映的数据进行分析，作为区分不同区域的特性并记录；

对后续的工艺层建立缺陷扫描方程式时，增加对当前层的图形和光强分析，根据之前不同区域所表征的特性重新定义不同的扫描区域；

若无法对应到之前所记录的区域特性，系统提示额外增加新的扫描区域。

进一步的，所述定义扫描区域包括LOGIC区域、FULL区域、SRAM区和PIXEL区域。

进一步的，所述区分不同区域的特性包括不同区域的图形特点以及反馈的图像亮度。

进一步的，所述不同区域的图形特点以及反馈的图像亮度数据保存在机台端，并建立对应的数据库。

进一步的，所述增加新的扫描区域步骤后还包括进行微调处理，精准定义当前工艺层的扫描区域。

本发明提出的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，可以比较精确地定义每一道工艺层的区域特性，避免因图形变化发生扫描区域不精确，导致缺陷反馈不准确而出现问题判断失误。

附图说明

图1所示为本发明较佳实施例的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法流程图。

图2～图5所示为本发明较佳实施例的不同区域示意图。

图6所示为前段工艺层扫描区域定义示意图。

图7所示为钝化工艺层扫描区域定义示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图1，图1所示为本发明较佳实施例的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法流程图。本发明提出一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，包括下列步骤：

步骤S100：根据器件的不同功能来定义扫描区域，设定不同的扫描参数；

步骤S200：对定义的不同区域图形和光强调试时反映的数据进行分析，作为区分不同区域的特性并记录；

步骤S300：对后续的工艺层建立缺陷扫描方程式时，增加对当前层的图形和光强分析，根据之前不同区域所表征的特性重新定义不同的扫描区域；

步骤S400：若无法对应到之前所记录的区域特性，系统提示额外增加新的扫描区域。

请参考图2～图5，图2～图5所示为本发明较佳实施例的不同区域示意图。根据本发明较佳实施例，所述定义扫描区域包括LOGIC区域、FULL区域、SRAM区和PIXEL区域。为了实现对不同区域缺陷的精确扫描，就需要将器件结构分为不同的区域，通常一个器件结构均会包括多种不同的区域，不同的区域也有对其良率影响较大的不同缺陷的类型。建立扫描方程式的时候，可将一个完整的器件定义成如下4个区域进行区分扫描，图2中图形不规则，且反馈的图像亮度最亮，我们定义为LOGIC区域；图3中的图形为大块空旷区域，定义为FULL区域；图4中的为密集重复长方形图形，且颜色较亮，定义为SRAM区；图5中的图形同样为密集重复图形，但颜色较SRAM区暗，存在于CIS产品，定义为PIXEL区域。

根据本发明较佳实施例，所述区分不同区域的特性包括不同区域的图形特点以及反馈的图像亮度。进一步的，所述不同区域的图形特点以及反馈的图像亮度数据保存在机台端，并建立对应的数据库。那么后面在不同工艺步骤建立扫描方程式时，可以对当层工艺呈现的图形进行分析，若扫描区域与之前建立的方程式区域定义有较大出入，则提示重新定义扫描区域，保证扫描区域的精确性和缺陷正确反馈。

所述增加新的扫描区域步骤后还包括进行微调处理，精准定义当前工艺层的扫描区域。

请参考图6和图7，图6所示为前段工艺层扫描区域定义示意图，图7所示为钝化工艺层扫描区域定义示意图。如图所示同一个产品的前段工艺和钝化层工艺扫描区域有了很明显的差异，原因在于在钝化层工艺对产品表面的图形有了重新的定义，若再根据前面方程式定义的扫描区域进行扫描，会有较大的误差，所以需要根据当层实际图形分布进行重新定义才能进行正确扫描。我们可以看到图7的区域定义相较复杂，根据本发明中提出的图形&亮度分析法，可以较快而且准确地区分定义新的扫描区域。

综上所述，本发明提出的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，可以比较精确地定义每一道工艺层的区域特性，避免因图形变化发生扫描区域不精确，导致缺陷反馈不准确而出现问题判断失误。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。