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在处理半导体尺寸晶片中使用的保护片及半导体尺寸晶片处理方法

摘要

本发明涉及在处理半导体尺寸晶片(W)中使用的保护片(10)。保护片(10)包括:大致圆形的基片(12),和大致环形的粘合剂层(14),该大致环形的粘合剂层涂敷至基片(12)的第一表面的周围部分。粘合剂层(14)的内径小于半导体尺寸晶片(W)的直径。而且,粘合剂层(14)的外径大于用于保持半导体尺寸晶片(W)的半导体尺寸环形框(20)的内径。本发明还涉及半导体尺寸晶片处理方法,该方法包括以下步骤:经由基片(12)的第一表面上的粘合剂层(14)将保护片(10)附接至半导体尺寸晶片(W)的前侧(50)或背侧(52),使得粘合剂层(14)的内周部分粘合至晶片(W)的前侧(50)或背侧(52)的外围部分,并且在保护片(10)已经附接至晶片(W)的前侧(50)或背侧(52)之后,处理晶片(W)。

著录项

  • 公开/公告号CN107112256A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 卡尔·海因茨·普利瓦西尔;

    申请/专利号CN201480084439.5

  • 发明设计人 卡尔·海因茨·普利瓦西尔;

    申请日2014-12-29

  • 分类号H01L21/67(20060101);H01L21/683(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人吕俊刚;杨薇

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-06-19 03:13:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-29

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/67 登记生效日:20190308 变更前: 变更后: 申请日:20141229

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20141229

    实质审查的生效

  • 2017-08-29

    公开

    公开

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