n‑型FinFET、半导体器件和FinFET的制造方法

摘要

本发明的实施例提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括衬底、栅极堆叠件和应变层。该衬底具有半导体鳍。栅极堆叠件设置为横跨半导体鳍。栅极堆叠件包括栅极介电层、功函层和金属填充层。栅极介电层设置在半导体鳍上。功函层设置在栅极介电层上。金属填充层位于功函层上方。过滤层设置在功函层和金属填充层之间以防止或减少扩散原子的穿透。应变层位于栅极堆叠件旁边。过滤层的材料与功函层的材料和金属填充层的材料不同。本发明的实施例还涉及n‑型FinFET、半导体器件和FinFET的制造方法。