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一种基于机电耦合理论的变形阵列天线远场方向图分析方法

摘要

本发明公开了一种基于机电耦合理论的变形阵列天线远场方向图分析方法,包括阵列天线结构几何模型建立;阵列天线结构有限元模型的建立;辐射单元位置坐标的提取;根据辐射单元位置坐标计算辐射单元的空间相位参数以及考虑互耦效应的等效激励参数,最后根据阵列天线远场方向图计算表达式得到变形阵列天线辐射远场方向图,据此可求解相关电磁性能参数,分析结构变形对阵列天线电性能的影响关系。本发明可精确分析变形阵列天线辐射特性,对于实际工作中的阵列天线电性能分析具有很强的工程意义。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-22

    授权

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  • 2017-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20170410

    实质审查的生效

  • 2017-08-29

    公开

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