用于制造在相邻底部电极之间具有增大的间隔的存储装置的方法

摘要

本发明的实施例描述了一种用于制造在相邻底部电极之间具有增大的间隔的存储装置的方法，所述方法包括：在基板上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上方沉积碳层；在所述碳层上图案化光致抗蚀剂层；在所述光致抗蚀剂层上沉积第一间隔层；以及在回蚀刻所述间隔层形成侧壁之后，在所述光致抗蚀剂层上执行修改的光刻处理。