提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型

摘要

本发明提供一种提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型，将电阻模型两端引出端的端接电阻划分为由接触电阻、硅化电阻以及交界电阻组成的三部分，并通过硅化电阻模型求得非硅化电阻模型的硅化电阻和接触电阻，进而求得交界电阻，从而建立了非硅化电阻模型和硅化电阻模型之间的关联，使得非硅化电阻模型比较物理，模型精度大大提高。同时在非硅化电阻模型的硅化电阻中引入布局参数，即接触孔到硅化电阻区域边界的距离，可以提高非硅化电阻模型的扩展性。