Implants; Boron; Cryogenics; FinFETs; Contact resistance; Conductivity; Very large scale integration;
机译:n型Si:P和p型SiGe:B半导体表面处理对低电阻硅化物触点的影响
机译:具有碲离子注入和隔离的硅碳源/漏和铂基硅化物触点可降低应变n-FinFET的接触电阻
机译:(100)Si和SiGe上的超薄外延Ni-硅化物接触:结构和电学研究
机译:采用低温接触注入非晶化和固相外延再生(SPER)技术的具有硅化钛衬里的超低p型SiGe接触电阻FinFET
机译:砷化铟镓/磷化铟HBT超低电阻欧姆触点的开发
机译:使用硅化钯的原子级Si:P器件的低电阻高产量电触点
机译:Ni / Ti / Al欧姆触点的电气特性与Al植入的P型4H-SiC