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公开/公告号CN106999869A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-01
原文格式PDF
申请/专利权人 通用电气公司;
申请/专利号CN201580025227.4
发明设计人 P.J.麦克克罗斯基;J.L.李;D.R.摩尔;C.E.奥尔森;H.周;M.J.米斯纳;L.R.卡尔;
申请日2015-05-12
分类号B01D71/82(20060101);B01D71/80(20060101);B01D69/08(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人初明明;罗文锋
地址 美国纽约州
入库时间 2023-06-19 02:55:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):B01D71/82 申请日:20150512
实质审查的生效
2017-08-01
公开
机译: 两性离子官能化的嵌段共聚物膜及相关的嵌段共聚物组合物
机译: 两性离子官能嵌段共聚物膜和相关的嵌段共聚物组合物
机译:两亲二嵌段共聚物在整体不对称膜中溶液中两亲二嵌段共聚物的结构特征与多孔表面结构的相关性
机译:嵌段长度对嵌段共聚物刷的溶剂响应的影响:嵌段共聚物刷梯度的组合研究
机译:使用聚丙交酯官能化的TEMPO大分子介体,由一氧化氮介导的苯乙烯基嵌段共聚物和锥形嵌段共聚物的合成
机译:嵌段共聚物薄膜上的软光刻:在嵌段共聚物膜上产生官能化图案作为进一步表面改性的基础
机译:嵌段共聚物共混物的相行为:二元二嵌段共混物和两亲性嵌段共聚物/环氧混合物。
机译:溶剂蒸汽退火下对称二嵌段共聚物和三嵌段三元共聚物模式中磁赤铁矿纳米粒子的偏析
机译:通过自组织多面体低聚硅氧烷(POSS)官能化嵌段共聚物膜的直接蚀刻在多个长度尺度上制造分层有序的混合结构。官能化嵌段共聚物膜
机译:聚(二甲基硅氧烷) - 聚氨酯弹性体:嵌段共聚物和相关的两性离子的合成和性质。