一种以高纯致密氧化镁为靶材制备MgO薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种以高纯致密氧化镁为靶材制备MgO薄膜的方法，包括以下步骤：(1)将氧化镁粉末研磨后，过筛，将过筛后的粉末进行冷等静压(CIP)成型，制得压坯，将压坯在520℃首先进行预烧结，之后抽真空升温进行烧结，烧结完成后，制得高纯致密氧化镁材料；(2)以上一步骤制得的高纯致密氧化镁材料为靶材，在直流磁控溅射装置的反应室中进行MgO薄膜的生长，反应完成取出MgO薄膜。本发明所述的方法使用高纯致密氧化镁为靶材，制备的MgO薄膜具有良好的电学、光学性能，厚度分布均匀，质量高无缺陷。