用于减少应变硅中的缺陷的基于氮的植入

摘要

一种制作于半导体衬底(202)上的晶体管(200)，其中增强或另外调整所述衬底的屈服强度或弹性。在所述晶体管上方形成应变诱发层(236)以对所述晶体管施加应变来改变晶体管的操作特性，且更特定来说增强所述晶体管内载流子的移动性。增强载流子移动性允许晶体管尺寸减小，同时还允许晶体管按需地操作。然而，与制作晶体管相关联的高应变及温度导致有害的塑性变形。因此，通过将氮并入到硅衬底中且更特定来说并入到所述晶体管的源极/漏极延展区域(220、222)及/或源极/漏极区域(228、230)来调整所述衬底的屈服强度。可在晶体管制作期间通过将添加氮作为源极/漏极延展区域形成及/或源极/漏极区域形成的一部分而容易地并入氮。所述衬底的经增强屈服强度减轻晶体管因应变诱发层所致的塑性变形。