多层全息天线中AlAs‑Ge‑AlAs结构基等离子pin二极管的制造方法

摘要

本发明涉及一种多层全息天线中AlAs‑Ge‑AlAs结构基等离子pin二极管的制造方法。该制造方法包括：选取GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并在所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs‑Ge‑AlAs结构的基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基等离子pin二极管。