基于CVD法生长MoS2二维晶体的方法

摘要

本发明公开了一种基于CVD法生长MoS2二维晶体的方法，主要解决传统方法工艺较复杂，可控性差的问题。其实施步骤是：1.对衬底进行超声清洗，将S和MoO2前驱体置于两个独立的石英舟中，将衬底倒扣搭在装MoO2的舟上，并将两舟依次置于炉体反应腔中，在反应腔室内通入高纯氩气吹扫；2.快速加热MoO2粉末，降低升温速率将S粉推入120～220℃温区，使S蒸汽与MoO2蒸汽反应生成MoS2，沉积在倒扣于MoO2石英舟的衬底上；3.待炉体中心温度降至100℃以下时，将衬底取出，完成MoS2晶体制备。本发明成本较低，提高了生长过程的可调节性，可用于可重复的大面积单层MoS2材料的制备。