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公开/公告号CN106663599A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-10
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201480081348.6
发明设计人 M·昌德霍克;T·R·扬金;S·H·李;C·H·华莱士;
申请日2014-09-22
分类号H01L21/027(20060101);G03F7/20(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 02:05:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20140922
实质审查的生效
2017-05-10
公开
机译: 使用非反射辐射光刻技术对下层光栅进行多通道图案化
机译: 在底层光栅上使用非反射辐射光刻技术进行多通道打标
机译:在瑞士光源和上海同步辐射装置上使用EUV消色差Talbot光刻对纳米点阵列进行图案化
机译:图案化分子印刷电路板:使用纳米压印光刻技术在氧化硅上对环糊精单层进行图案化及其在3D多层纳米结构中的应用
机译:EUV光刻掩模的建筑选择:图案化的吸收剂和图案化的反射器
机译:用于图案化非平面表面的胶体光刻。
机译:使用粒子光刻技术在Si(111)上制备4-(氯甲基)苯基三氯硅烷和5101520-四(4-吡啶基)-21H23H-卟啉的异质结构:纳米图案化主要步骤的纳米级表征
机译:使用软光刻植入医疗设备上的3D非平面表面图案化的微针
机译:使用电子束光刻在非平坦基板上的衍射光学元件