一种金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供了一种金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制作方法，该晶体管包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延片层、第一绝缘层、第二绝缘层，栅极、源极和漏极以及第三绝缘层；其中，所述栅极延伸到所述第二绝缘层的上表面形成栅场板。本发明通过将栅极延伸形成栅场板，从而降低了器件表面电场，改善了器件的击穿电压，提高了器件的耐压性。