先封后蚀电镀铜柱导通三维封装结构的工艺方法

摘要

本发明涉及一种先封后蚀电镀铜柱导通三维封装结构的工艺方法，它包括以下步骤：步骤一、取金属载体；步骤二、金属载体表面预镀铜层；步骤三、电镀金属外引脚；步骤四、环氧树脂塑封；步骤五、电镀金属线路层；步骤六、电镀导电金属柱；步骤七、贴装芯片；步骤八、塑封；步骤九、无源器件贴装；步骤十、塑封；步骤十一、载体蚀刻开窗；步骤十二、电镀抗氧化金属层；步骤十三、切割成品。本发明能够埋入元器件提升整个封装功能集成度的问题，且此工艺方法制备的线路层在金属载体的一侧被包封起来，在工艺流程中金属载体保留，可以提高产品的可靠性能。