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公开/公告号CN106601612A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-26
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201610902633.0
发明设计人 杨邓良;费萨尔·雅各布;皮利翁·帕克;海伦·H·朱;朴俊洪;
申请日2016-10-17
分类号H01L21/311(20060101);H01L21/67(20060101);H01J37/32(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人樊英如;张华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 02:02:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/311 申请日:20161017
实质审查的生效
2017-04-26
公开
机译: 用于超高选择性氮化物蚀刻的系统和方法
机译: 使用用于III族氮化物材料和装置的互补电导率选择性湿法蚀刻技术制造方法
机译: 用于选择性蚀刻金属氮化物的组合物和方法
机译:薄层蚀刻的替代方法:应用于硅锗上停止的氮化物隔离层蚀刻
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机译:在MERIE蚀刻机中对BPSG /氮化物/氧化物结构进行高度选择性的氧化物至氮化物蚀刻工艺
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机译:布朗斯台德酸促进的叠氮化物-烯烃3 + 2环加成物用于制备连续的氨基多元醇:二硅氧烷环大小对两维特霉素A的非对映选择性双向方法的重要性
机译:通过高压CF4等离子体选择性蚀刻六边形氮化物,用于将个体一维欧姆触点到石墨烯层
机译:BCl(3)/ Cl(2)ICp等离子体中的III族氮化物蚀刻选择性;材料研究学会互联网氮化物半导体研究杂志