半导体元件的清洗用液体组合物、半导体元件的清洗方法及半导体元件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物、半导体元件的清洗方法及半导体元件的制造方法，其目的在于，提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.01质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.0001～0.1质量％的锌盐、以及水。