创建掺杂的子结构以减少微电子晶体管中的泄露的装置和方法

摘要

晶体管器件在有源沟道与衬底之间具有掺杂的缓冲体或子结构。在一个实施例中，可以在子结构的形成中引入p型掺杂物，例如，镁、锌、碳、铍、等等，其中，掺杂物可以作为有源沟道与源极和漏极界面处的p/n结并减小了关断状态漏电路径。在另一个实施例中，用于形成掺杂的子结构的材料可以与没有掺杂物的用于形成有源沟道的材料基本上相同，以使得将不会形成可能导致晶体缺陷的异质结。