公开/公告号CN106567039A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国石油大学(华东);
申请/专利号CN201610902366.7
申请日2016-10-17
分类号C23C14/06(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构37252 青岛智地领创专利代理有限公司;
代理人毛胜昔
地址 266580 山东省青岛市经济技术开发区长江西路66号
入库时间 2023-06-19 01:53:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-25
授权
授权
2017-05-17
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20161017
实质审查的生效
2017-04-19
公开
公开
技术领域
本发明涉及一种半导体材料及其制备方法,尤其涉及一种MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料及其制备方法。
背景技术
二硫化钼本身不导电,但具有抗磁性,可用作线性光电导体和显示P型或N型导电性能的半导体,具有整流和换能的作用。
由于二硫化钼薄膜材料具有典型的层状结构,层内以共价键紧密结合在一起,每个Mo原子被六个S原子包围,呈三角棱柱状;层与层之间则以较弱的范德华力相结合,容易滑离。
二硫化钼的上述结构特征导致其电阻率非常大、载流子输运性能较差,使其在半导体及器件领域的应用受到了严重阻碍。
为降低MoS2薄膜材料的电阻率、提高其导电性能,以满足MoS2薄膜材料在半导体器件领域的使用。现有技术中,相对比较成功的做法是,使用金属元素对MoS2进行掺杂,以进行MoS2材料改性。例如:
吴晨等人(《微纳电子技术》,2014,08)公开了“Ag掺杂对MoS2薄膜特性的影响”研究结果,利用化学气相沉积法在p型导电Si基片上制备了Ag掺杂MoS2薄膜材料;
中国专利ZL201510558994.3公开了一种Pd-MoS2异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法,其采用的技术手段是,使用Pd金属元素进行MoS2掺杂处理。
但是,这种使用金属元素对MoS2进行掺杂,以进行MoS2材料改性的方法,其原理均是,使金属元素进入二硫化钼晶格中,以取代二硫化钼中原来的钼元素。由于原子半径、得失电子能力等方面的差异,这种掺杂技术必然在二硫化钼中形成大量缺陷,从而导致产品的材料结构和性能的不稳定性。
换言之,采用掺杂的技术手段,以进行MoS2薄膜材料的改性,其产品性能的一致性、稳定性相对较差,产品质量的控制难度大。
更为重要的是,对于半导体器件技术领域而言,这类掺杂改性后的MoS2薄膜材料,其电阻率仍然偏高、导电性能尚不理想。
发明内容
本发明的目的之一是,提供一种具有良好导电性能的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料。
本发明为实现上述目的所需要解决的技术问题是,如何有效降低MoS2薄膜材料的电阻率的技术问题。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是,一种MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料,其特征在于,为层状结构,由上至下依次包括顶层MoS2薄膜层、Ag金属层、底层MoS2薄膜层和Si基片;其中:
所述Si基片是本征绝缘不导电单晶材料,单面抛光,抛光面为上表面;
所述MoS2薄膜层,其纯度为99.9%;
所述Ag金属层,其纯度为99.99%;
所述顶层MoS2薄膜层、Ag金属层、底层MoS2薄膜层的厚度分别为50nm、3-10nm和50nm。
上述技术方案直接带来的技术效果是,在顶层MoS2薄膜层和底层MoS2薄膜层之间插入一层薄Ag金属层,大幅降低了MoS2薄膜材料的电阻率值,显著提高了MoS2薄膜材料的导电性能,并且所形成的MoS2/Ag/MoS2薄膜的结构稳定,性能可重复性强。
检测结果表明,采用上述技术方案所制得的MoS2/Ag/MoS2薄膜材料,电子载流子浓度、电子迁移率分别达到8.3×1022cm-3和8.5cm2V-1s-1。
这些性能参数与具有纯MoS2薄膜材料(纯MoS2薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为2.1×1017cm-3、0.1cm2V-1s-1)比较,分别至少提高了5个数量级和1个数量级。
特别是,采用上述技术方案所制得的MoS2/Ag/MoS2薄膜材料,电阻率值达到5.7×10-2Ωcm,比单一MoS2薄膜材料的电阻率值(1.1×103Ωcm)至少低4个数量级。
概括而言,本发明通过将单一的MoS2薄膜层改变为“夹心层”结构形式:采用在上下两层MoS2薄膜层之间插入一层Ag金属薄层这一简单的技术手段,巧妙地利用所插入的Ag金属薄层中的自由电子对MoS2薄膜层的电子注入效应,提高薄膜材料中的电子载流子浓度和电子迁移率,达到显著降低MoS2薄膜材料的电阻率值、提高MoS2薄膜材料的导电性能的目的。
为更好地理解上述技术方案,现从原理上进行详细说明:
1、Ag金属插层对MoS2薄膜材料性能达到的技术效果有三个方面:
(1)Ag金属插层中的大量自由电子通过注入效应分别进入顶层MoS2薄膜层和底层MoS2薄膜层,分别提高了上下MoS2薄膜层中的电子载流子浓度和电子迁移率;
(2)通过提高上下两层MoS2薄膜材料中的电子浓度和电子迁移率,显著降低了MoS2薄膜材料的电阻率,大幅增强了MoS2薄膜材料的导电性能;
(3)中间Ag金属插层的连续性特征,有效增强了薄膜结构的稳定性,减少了薄膜内部缺陷数量,从而使薄膜材料性能的稳定性和可重复性得到提高。
2、上述技术方案中,Ag金属层的电子功函数为4.2eV,小于MoS2薄膜材料的功函数值4.5eV,从而保证了电子能够由Ag金属层注入进入MoS2薄膜层;
3、上述技术方案中,Ag金属层位于两层MoS2材料之间,利于电子通过注入效应分别进入上下两层MoS2薄膜层,提高整个薄膜材料内部载流子分布的均匀性;
4、上述技术方案中,Ag金属层的厚度超薄,为3-10nm,一方面提高了Ag金属层的均匀连续性;另一方面也避免薄膜内部电子仅以Ag金属层为输运通道,而不经过MoS2薄膜层;同时,Ag金属层可以为上下两层MoS2薄膜提供大量自由电子。
实验证明,上述技术方案的MoS2/Ag/MoS2薄膜材料,具有电子浓度高、电子迁移率大、电阻率值小、结构和性能稳定等优点。
优选为,所述底层MoS2薄膜层是采用直流磁控溅射方法沉积于所述Si上表面之上的;
所述Ag金属层是采用直流磁控溅射方法沉积于所述MoS2薄膜层之上的;
所述顶层MoS2薄膜层是采用直流磁控溅射方法沉积于所述Ag金属层之上的。
该优选技术方案直接带来的技术效果是,制备方法简单、工艺过程易于控制,产品质量稳定性与一致性更好。
本发明的目的之二是,提供一种上述的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的制备方法,其制备工艺简单、过程易控、成品率高,且工艺环保,适于工业化生产。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是,一种上述的MoS2/Ag/MoS2薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步,硅基片表面清洗步骤
选取本征绝缘不导电型Si单晶基片,依次在酒精、丙酮和去离子水中超声清洗180s;
取出并用干燥氮气吹干;
第二步,底层MoS2薄膜层表面沉积步骤
将清洗后的Si单晶基片衬底装入托盘、放入真空腔,并将真空腔抽为高真空,在氩气环境下,将Si单晶基片的温度调至第一温度,氩气气压调至第一压力,采用直流磁控溅射技术,在恒定的30W溅射功率条件下,利用电离出的离子轰击MoS2陶瓷靶材,在所述Si基片的上表面上,沉积一层MoS2薄膜层;
第三步,Ag金属层表面沉积步骤
将装有样品的托盘更换至Ag金属靶材的正上方;
将Si单晶基片的温度调至第二温度,Ar气压调至第二压力,采用直流磁控溅射技术,在恒定的30W溅射功率条件下,利用电离出的离子轰击Ag金属靶材,在上述底层MoS2薄膜层的表面上,再沉积一层Ag金属层;
第四步,顶层MoS2薄膜层表面沉积步骤
将装有样品的托盘再更换至MoS2陶瓷靶材的正上方;
将Si单晶基片的温度调至第三温度,Ar气压调至第三压力,采用直流磁控溅射技术,在恒定的30W溅射功率条件下,利用电离出的离子轰击MoS2陶瓷靶材,在上述Ag金属层的表面上,再沉积一层MoS2薄膜层,即得。
上述技术方案直接带来的技术效果是,制备工艺简单、成品率高,适于工业化生产,并且上述制备方法无有毒有害原料使用、无有毒有害废物产生或废气排放,整个工艺流程绿色环保、无污染;
上述技术方案所制得的产品质量均匀稳定、各薄膜层附着牢固、厚度均匀稳定且易于控制。
优选为,上述氩气的纯度在99.999%以上;所述高纯氮气是指纯度为99.95%以上的干燥氮气;所述MoS2陶瓷靶材,其纯度为99.9%;所述Ag金属靶材,其纯度为99.99%;所述MoS2靶材的靶基距和所述Ag靶材的靶基距均为50mm。
该优选技术方案直接带来的技术效果是,该距离既能满足离子在运动过程中与工作气体充分碰撞降低动能,又能保证离子在成膜过程中具有足够的附着力。
进一步优选,上述第一温度为20-400℃,所述第一压力为1-10Pa;
所述第二温度为20-30℃,所述第二压力为1-5Pa;
所述第三温度为20-400℃,所述第三压力为1-10Pa。
该优选技术方案直接带来的技术效果是,既能保证获得良好的二硫化钼薄膜和银金属膜层的晶体质量,又能满足离子成膜过程中所需的、足够的附着力,同时还能比较容易的控制成膜厚度。
综上所述,本发明相对于现有技术,具有以下有益效果:
1、本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料具有十分显著的低电阻率(在室温条件下,电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为8.3×1022cm-3、8.5cm2V-1s-1和5.7×10-2Ωcm。与单一的纯MoS2薄膜材料比较,载流子浓度至少提高了5个数量级,电子迁移率至少提高了1个数量级,而电阻率值至少降低了4个数量级)。
2、本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的制备方法具有工艺简单、参数控制简便;且其成品率高、制造成本低、产品质量稳定性与可靠性好,适于工业化生产。
附图说明
图1为本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的结构示意图;
图2为实施例1所制得的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的拉曼光谱图;
图3为本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的电子载流子浓度和迁移率值分别随Ag层厚度变化的变化规律曲线图;
图4为本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的电阻率值随Ag层厚度变化的变化规律曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图,对本发明进行详细说明。
实施例1
制备方法如下:
第一步,硅基片表面清洗步骤
选取本征绝缘不导电型Si单晶基片,依次在酒精、丙酮和去离子水中超声清洗180s;
取出并用干燥氮气吹干;
第二步,底层MoS2薄膜层表面沉积步骤
将清洗后的Si单晶基片衬底装入托盘、放入真空腔,并将真空腔抽为高真空,在氩气环境下,将Si单晶基片的温度调至第一温度200℃,氩气气压调至第一压力3Pa,采用直流磁控溅射技术,在恒定的30W溅射功率条件下,利用电离出的离子轰击MoS2陶瓷靶材,在所述Si基片的上表面上,沉积一层厚度为50nm的MoS2薄膜层;
第三步,Ag金属层表面沉积步骤
将装有样品的托盘更换至Ag金属靶材的正上方;
将Si单晶基片的温度调至第二温度20-25℃,Ar气压调至第二压力5Pa,采用直流磁控溅射技术,在恒定的30W溅射功率条件下,利用电离出的离子轰击Ag金属靶材,在上述底层MoS2薄膜层的表面上,再沉积一层厚度为10nm的Ag金属层;
第四步,顶层MoS2薄膜层表面沉积步骤
将装有样品的托盘再更换至MoS2陶瓷靶材的正上方;
将Si单晶基片的温度调至第三温度200℃,Ar气压调至第三压力3Pa,采用直流磁控溅射技术,在恒定的30W溅射功率条件下,利用电离出的离子轰击MoS2陶瓷靶材,在上述Ag金属层的表面上,再沉积一层厚度为50nm的MoS2薄膜层,即得。
产品性能检测结果:
经检测,在室温(20-25℃)条件下,所制得的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为8.3×1022cm-3、8.5cm2V-1s-1和5.7×10-2Ωcm。
说明:纯MoS2薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为2.1×1017cm-3、0.1cm2V-1s-1和1.1×103Ωcm(参见对比实施例:实施例2的检测结果)。
实施例2
说明:该实施例为对比实施例,目标产品为纯MoS2薄膜材料,无中间Ag插层。
制备方法如下:
第一步,硅基片表面清洗步骤
选取本征绝缘不导电型Si单晶基片,依次在酒精、丙酮和去离子水中超声清洗180s;
取出并用干燥氮气吹干;
第二步,底层MoS2薄膜层表面沉积步骤
将清洗后的Si单晶基片衬底装入托盘、放入真空腔,并将真空腔抽为高真空,在氩气环境下,将Si单晶基片的温度调至第一温度200℃,氩气气压调至第一压力3Pa,采用直流磁控溅射技术,在恒定的30W溅射功率条件下,利用电离出的离子轰击MoS2陶瓷靶材,在所述Si基片的上表面上,沉积一层厚度为100nm的MoS2薄膜层;即得。
产品性能检测结果:
经检测,在室温(20-25℃)条件下,所制得的MoS2薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为2.1×1017cm-3、0.1cm2V-1s-1和1.1×103Ωcm。
实施例3
仅在第三步中,通过调整溅射时间,将Ag中间插层厚度调整为3nm;其余,均同实施例1。
产品性能检测结果:
经检测,在室温(20-25℃)条件下,所制得的MoS2/Ag/MoS2薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为1.8×1020cm-3、1.2cm2V-1s-1和9.8Ωcm。
实施例4
仅在第三步中,通过调整溅射时间,将Ag中间插层厚度调整为8nm;其余,均同实施例1。
产品性能检测结果:
经检测,在室温(20-25℃)条件下,所制得的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为8.8×1021cm-3、2.3cm2V-1s-1和1.1Ωcm。
实施例5
仅在第三步中,通过调整溅射时间,将Ag中间插层厚度调整为10nm;其余,均同实施例1。
产品性能检测结果:
经检测,在室温(20-25℃)条件下,所制得的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为6.0×1022cm-3、5.7cm2V-1s-1和0.12Ωcm。
为更好地理解本发明的技术特点,下面结合附图,对本发明所制得的产品的性能检测方法和检测结果进行详细说明。
图1为本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的结构示意图。
如图1所示,本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料,其为层状结构,由上至下依次包括顶层MoS2薄膜层、Ag金属层、底层MoS2薄膜层和Si基片;其中:
上述Si基片是本征绝缘不导电单晶材料,单面抛光,抛光面为上表面;
上述MoS2薄膜层,其纯度为99.9%;
上述Ag金属层,其纯度为99.99%;
上述顶层MoS2薄膜层、Ag金属层、底层MoS2薄膜层的厚度分别为50nm、3-10nm和50nm;
上述底层MoS2薄膜层是采用直流磁控溅射方法沉积于上述Si上表面之上的;
上述Ag金属层是采用直流磁控溅射方法沉积于上述MoS2薄膜层之上的;
上述顶层MoS2薄膜层是采用直流磁控溅射方法沉积于上述Ag金属层之上的。
图2为实施例1所制得的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的拉曼光谱分析图。
如图2所示,382cm-1和407cm-1分别为MoS2薄膜的典型面内振动模式(E12g)和面外振动模式(A1g)。表明所制得的薄膜材质为MoS2。
图3为本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的电子载流子浓度和迁移率值随Ag层厚度变化的变化规律曲线图。
从图3中可以看出,随着Ag中间插层厚度的增加,MoS2/Ag/MoS2薄膜材料的电子载流子浓度和迁移率值逐渐增大。可见,随着厚度的增加,Ag中间插层的均匀连续性增强,是Ag层内部向MoS2薄膜中注入的电子数目和效果增强,从而导致整个薄膜的载流子浓度和电子迁移率发生明显提高。
图4为本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的电阻率值随Ag层厚度变化的变化规律曲线图。
如图4所示,无Ag金属插层(对应于图中的厚度为0时)的纯MoS2薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为2.1×1017cm-3、0.1cm2V-1s-1和1.1×103Ωcm。
从图4中可以看出,随着Ag中间插层厚度的增加,MoS2/Ag/MoS2薄膜材料的电阻率值逐渐减小。
在室温(20-25℃)条件下,所制得的具有10nm Ag金属插层的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料的电子载流子浓度、电子迁移率和电阻率值分别为8.3×1022cm-3、8.5cm2V-1s-1和5.7×10-2Ωcm。
数据对比可以看出,载流子浓度提高幅度超过5个数量级,电子迁移率提高幅度超过1个数量级,而电阻率值降低幅度超过4个数量级,导电性能改善幅度巨大、效果十分显著。
机译: 一种用于制造羊毛或其他矿物制成的产品的金属构件,一种用于通过熔融矿物的离心分离生产矿棉的旋转器以及一种制造该构件的方法(用于生产羊毛或其他矿物材料制成的产品的金属成分,通过将Molotene Minerai材料离心生产米尔纳羊毛及其组分的制备方法)
机译: 一种高磁导率的电磁硅钢的制备方法(J.Vysokojj magnitnojj pronicaemost'ju)
机译: 一种高磁导率的电磁硅钢的制备方法(J.Vysokojj magnitnojj pronicaemost'ju)