一种用于TD‑LTE的高增益CMOS低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种用于TD‑LTE的高增益CMOS低噪声放大器，为全集成的两级级联结构，第一级放大电路采用并联电容的源电感反馈型共源共栅结构，第二级放大电路采用电感峰化的共源共栅结构；其中，单端射频信号经第一级放大电路实现输入匹配和放大后，通过级间匹配单元送入所述第二级放大电路，完成二次放大和输出匹配，最后输出射频信号。该低噪声放大器芯片的集成度高、成本低；与传统的源电感反馈型共源共栅结构相比，获得了极低的噪声系数，提高了系统灵敏度；本发明在提高低噪声放大器增益的同时增加了隔离度，从而抑制输出信号对输入的干扰，有利于抑制后级混频器的噪声；消除了电源对输入信号的串扰。