具有串扰改进的CMOS图像传感器结构

摘要

一种半导体器件包括衬底、器件层、复合栅格结构、钝化层和滤色器。器件层位于衬底上面。复合栅格结构位于器件层上面。复合栅格结构包括：穿过复合栅格结构的腔，并且复合栅格结构包括金属栅格层和堆叠在金属栅格层上的介电栅格层。钝化层共形地覆盖复合栅格结构。滤色器分别地填充腔。本发明实施例涉及具有串扰改进的CMOS图像传感器结构。