首页> 中国专利> 一种镍掺杂纳米氧化锡(Ni‑doped nano‑SnO2)粉体的制备方法

一种镍掺杂纳米氧化锡(Ni‑doped nano‑SnO2)粉体的制备方法

摘要

本发明为一种镍掺杂纳米氧化锡(Ni‑doped SnO2)粉体的制备方法,特别是涉及一种应用于纳米电接触领域的镍掺杂纳米氧化锡(Ni‑doped SnO2)粉体的制备方法。基于目前AgSnO2电接触材料在服役过程中容易出现两相分离、相偏析,弱化其最初良好的导电导热特性进而导致电寿命试验失效,这主要是由于SnO2与Ag润湿性差,二者结合力不高所致。因此,采用引入第三组元改善银基体和氧化锡增强相之间的结合状态,同时通过掺杂第二元素Ni将有助于改善SnO2的电导特性。故本发明采用水热法通过调控溶液pH值、Ni掺杂量、水热反应温度等工艺参数,所获Ni‑doped nano‑SnO2纳米粉体的尺寸在2000nm范围,粉体分散性较好,制备出相纯度高、形貌可控的Ni‑doped nano‑SnO2纳米粉体,并将其应用于银基电接触材料领域。

著录项

  • 公开/公告号CN106517362A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江工业大学;

    申请/专利号CN201610914692.X

  • 发明设计人 杨芳儿;郑晓华;裘凯锋;

    申请日2016-10-20

  • 分类号C01G53/04(20060101);

  • 代理机构33201 杭州天正专利事务所有限公司;

  • 代理人黄美娟;王兵

  • 地址 310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

  • 入库时间 2023-06-19 01:48:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G53/04 申请公布日:20170322 申请日:20161020

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-04-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G53/04 申请日:20161020

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    公开

    公开

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