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空隙形成用组合物、具备使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法

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摘要

本发明提供一种空隙形成用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法，该空隙形成用组合物可形成由在所希望的温度完全地分解气化的牺牲材料形成的牺牲区域。一种空隙形成用组合物，其特征在于，其包含聚合物以及溶剂，该聚合物包含5个以上的由下述式(1)或者下述式(2)表示的至少1种重复单元。[式中，Ar

著录项

  • 公开/公告号CN106471057A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AZ电子材料(卢森堡)有限公司;

    申请/专利号CN201580028112.0

  • 发明设计人 中杉茂正;绢田贵史;能谷刚;

    申请日2015-05-26

  • 分类号C08L65/00;C08G61/12;H01L21/312;H01L21/768;H01L23/532;

  • 代理机构北京三幸商标专利事务所(普通合伙);

  • 代理人刘淼

  • 地址 卢森堡卢森堡

  • 入库时间 2023-06-19 01:44:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08L65/00 申请公布日:20170301 申请日:20150526

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-05-31

    著录事项变更 IPC(主分类):C08L65/00 变更前: 变更后: 申请日:20150526

    著录事项变更

  • 2017-03-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08L65/00 申请日:20150526

    实质审查的生效

  • 2017-03-01

    公开

    公开

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