ВЛИЯНИЕ МОДИФИЦИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ INP КОМПОЗИЦИЯМИ ОКСИДОВ (V_2O_5+PBO) И (NIO+PBO) РАЗНОГО СОСТАВА НА ПРОЦЕСС ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА И ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОРМИРУЕМЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК

摘要

Оксид ванадия является активным хемостимулятором оксидирования InP, что проявляется в резком снижении эффективной энергии активации (ЭЭА) процесса, значительном увеличении темпа прироста толщины пленок (от 70 до 110 %), улучшении их диэлектрических характеристик, обусловленном эффективным связыванием индия в оксидную форму. Все это свидетельствует в пользу синхронного каталитического механизма оксидирования InP с нанесенными слоями V_2O_5 наноразмерной толщины. Использование композиции оксидов V_2O_5+PbO позволяет проследить динамику уменьшения каталитического действия V_2O_5 в ходе оксидирования при постепенном увеличении в композиции содержания PbO, выступающего как транзитор кислорода для компонентов InP. Композиция (NiO+PbO) составлена из двух оксидов - транзиторов кислорода. Таким образом, целью работы является выявление совместного хемостимулирующего действия магнетронно нанесенных на поверхность InP наноразмерных слоев оксидных композитов V_2O_5+PbO и NiO+PbO на термооксидирование полученных гетероструктур. Практическое отсутствие расхода оксида ванадия (данные РФА) подтверждает наличие в процессе термооксидирования гетероструктур (V 2O 5+PbO)/InP цикла регенерации катализатора V_2O_5. Оксид свинца фиксируется лишь на ранних стадиях процесса, что свидетельствует о расходе транзитора PbO в процессе оксидирования InP. Для гетероструктур (NiO+PbO)/InP (86 и 52 мол. % PbO) установлено расходование оксидов NiO и PbO в процессе термооксидирования (данные РФА), что подтверждает протекание процесса по транзитному механизму. Для оксидно-фосфатных плёнок, сформированных оксидированием гетероструктур (V_2O_5+PbO)/InP, размеры отдельных кристаллитов находятся в пределах 100-150 (данные АСМ), тогда как для гетероструктур (NiO +PbO)/InP в оксидных пленках присутствуют кристаллиты размером 150-200 нм.