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一种改善双腔室薄膜沉积设备两腔膜厚差异的抽气陶瓷环

摘要

本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种改善双腔室薄膜沉积设备两腔膜厚差异的抽气陶瓷环,通过增大双腔室薄膜沉积设备中抽气陶瓷环的抽气孔孔径,提高气体抽走速率,从而避免抽气孔被薄膜堵塞,解决了双腔室薄膜沉积设备两腔膜厚差异较大的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN106480426A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳拓荆科技有限公司;

    申请/专利号CN201510532721.1

  • 申请日2015-08-26

  • 分类号C23C16/44;

  • 代理机构沈阳维特专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人甄玉荃

  • 地址 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层

  • 入库时间 2023-06-19 01:42:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/44 申请公布日:20170308 申请日:20150826

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-03-08

    公开

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