一种柱顶互连型态半导体封装构造及其制造方法

摘要

本发明揭示一种使用模封互连基板工艺的柱顶互连(PTI)型态半导体封装构造及其制造方法，该半导体封装构造包含一形成于载板平面上的重配置线路层、复数个设置于重配置线路层的金属柱、一设置于重配置线路层上的芯片以及一模封基板层。模封基板层形成于载板平面上，模封基板层的下表面定义于载板平面，以使重配置线路层凹陷于模封基板层中，模封基板层的封装厚度大于芯片的芯片设置高度，以使芯片包覆于模封基板层中以及金属柱包覆于模封基板层的周边。金属柱具有不被模封基板层包覆的顶端。因此，可达到POP封装堆栈超薄与小型化、封装堆栈的纵向导通路径细间距的功效，并可完成POP封装堆栈的零间隙。