法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J9/26 申请公布日:20170222 申请日:20161209
发明专利申请公布后的驳回
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J9/26 申请日:20161209
实质审查的生效
2017-02-22
公开
公开
机译: 基于铜铟镓碲的前驱体的黄铜矿复合半导体薄膜及其制造方法,能够容易地制造大尺寸的薄膜
机译: 用于在不增加真空处理室的高度的情况下转移基质以转移大尺寸基质的设备和方法以及用于真空处理的设备
机译: 基于氧化铟-氧化锡-粉末混合物制备部分还原的用于阴极溅射的溅射靶的方法和由此制备的靶