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基于阴极转移设备的大尺寸铟封盘封接方法

摘要

本发明提出一种基于阴极转移设备的大尺寸铟封盘封接方法,包括以下步骤:步骤1:合理设计上可伐盘和下可伐盘结构;步骤2:合理设计下可伐盘厚度;步骤3:对上可伐盘进行镀膜处理;步骤4:合理设计铟丝尺寸;步骤5:化铟;步骤6:基于阴极转移设备进行上可伐盘和下可伐盘封接。20吋光电倍增管铟封盘直径达到145mm,铟封槽直径120mm,属于大尺寸铟封技术,利用本发明方法可有效解决大尺寸铟封盘铟封出现封接不牢、封接漏气、微漏、慢漏等问题以及改进铟封盘的平整度、光洁度、上铟封盘镀膜工艺、上下铟封盘对接精度等,提高光电倍增管阴极坪曲线、前后脉冲比例以及寿命等关键性能参数。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J9/26 申请公布日:20170222 申请日:20161209

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J9/26 申请日:20161209

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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