公开/公告号CN106413361A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201510448962.8
申请日2015-07-28
分类号H05K9/00(20060101);B32B9/04(20060101);B32B15/04(20060101);B32B15/08(20060101);B32B17/06(20060101);B32B3/12(20060101);B32B33/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2023-06-19 01:36:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K9/00 申请日:20150728
实质审查的生效
2017-02-15
公开
公开
机译: 能够在衬底的凹陷部分上形成高浓度掺杂的层的半导体器件的双栅及其形成方法,该双栅具有凹陷沟道结构。
机译: 能够在衬底的凹陷部分上形成高浓度掺杂的层的半导体器件的双栅及其形成方法,该双栅具有凹陷沟道结构及其制造方法
机译: 通过简单的光辐照过程控制获得单层或双层石墨烯的石墨烯层的方法