一种可提高内量子效率带电子阻挡层的LED外延结构

摘要

一种可提高内量子效率带电子阻挡层的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。其结构特点是，所述电子阻挡层从下至上依次包括前电子阻挡层、SiN/GaN SLs型n‑GaN层和后电子阻挡层。所述SiN/GaN SLs型n‑GaN层从下至上依次包括交替生长的SiN层和GaN层。本发明是在电子阻挡层p‑AlGaN中插入SiN/GaN SLs型n‑GaN层，不但能通过空穴浓度的提高和注入效率的提升来提高内量子效率，还能通过对缺陷的阻挡来提高抗静电能力。