机译:通过AIGaN电子和空穴阻挡层对InGaN / GaN多量子阱太阳能电池进行能带工程
机译:具有Al梯度GaN / AlGaN多层电子阻挡层的InGaN LED的性能增强
机译:通过带区工程电子阻挡层提高InGaN / GaN发光二极管的空穴注入和效率下降
机译:浅第一阱和阶梯式电子阻挡层增强了GaN / InGaN多量子阱LED的性能
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:具有带阻电子阻挡层的GaN基VCSEL的提高的输出功率
机译:电子阻挡层对InGaN / GaN LED导带和价带分布的影响