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一种提高一维TiO2纳米管电容性能的方法

摘要

一种提高一维TiO2纳米管电容性能的方法,涉及一种提高TiO2纳米管电容性能的方法。本发明是要解决现有TiO2纳米管电容性能较差的问题。方法:一、抛光及清洗;二、制备乙二醇电解液;三、阳极氧化处理,得到TiO2‑MoO3纳米管;四、热处理;五、脉冲电沉积处理,即完成。本发明将MoO3和MnO2联合起来,协同作用,对其进行电化学修饰,从而使其比电容大大提高,在0.5M Na2SO4中对其进行电化学测试,面积比电容可高达到30‑46mF/cm2。本发明用于超级电容器领域。

著录项

  • 公开/公告号CN106298282A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201610674811.9

  • 发明设计人 杨敏;解秀秀;徐慧芳;褚宏旗;

    申请日2016-08-16

  • 分类号H01G11/86(20130101);H01G11/46(20130101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人侯静

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 01:18:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01G11/86 申请公布日:20170104 申请日:20160816

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/86 申请日:20160816

    实质审查的生效

  • 2017-01-04

    公开

    公开

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