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用于产生亚衍射限制特征的光刻系统和方法

摘要

本发明提供用于近场光刻的系统和方法,其利用表面等离子体共振来实现对超过衍射限制的图案特征的成像。实例性近场光刻系统包含等离子体超透镜模板,所述等离子体超透镜模板包含多个待成像到光敏材料上的不透明特征和金属等离子体超透镜。所述不透明特征和所述金属超透镜由聚合物间隔物层分离。光传播穿过所述超透镜模板以在所述超透镜的另一侧上形成所述不透明特征的图像。包含固体或液体材料的中间层插入在所述超透镜与涂布有光致抗蚀剂的半导体晶片之间,以减少由所述超透镜模板与所述涂布有光致抗蚀剂的半导体晶片之间的接触造成的损害。

著录项

  • 公开/公告号CN101371193B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN200780002394.2

  • 发明设计人 杰弗里·L·麦基;

    申请日2007-01-08

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孟锐

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/56 授权公告日:20130116 终止日期:20160108 申请日:20070108

    专利权的终止

  • 2013-01-16

    授权

    授权

  • 2009-04-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-02-18

    公开

    公开

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