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一种可扩展的基于GP模型的BJT建模方法

摘要

本发明提供了一种可扩展的基于GP模型的BJT建模方法,包括:针对GP模型的不同参数,根据不同BJT器件尺寸,绘制双极型晶体管GP模型各参数的趋势曲线;基于绘制的双极型晶体管GP模型各参数的趋势曲线,获取趋势方程式;将趋势方程式应用至BJT建模过程的外挂子电路,实现特定范围内的可扩展的BJT模型。

著录项

  • 公开/公告号CN106250599A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201610596048.2

  • 发明设计人 张昊;

    申请日2016-07-27

  • 分类号G06F17/50;

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-06-19 01:11:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-13

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20161221 申请日:20160727

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160727

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    公开

    公开

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