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用于无TEC红外成像系统的CMOS工艺集成温度传感器

摘要

本发明公开了一种用于无TEC红外成像系统的CMOS工艺集成温度传感器,包括温度检测电路、偏置电路和输出级驱动电路;偏置电路包含3个PMOS管,通过偏置电路产生与温度基本无关的常数电流和共栅极偏置电压;温度检测电路包括由四个PMOS管构成的电流镜和由两个三极管构成的温度检测核心电路,通过温度检测电路将三极管连接成二极管形式,利用二极管温度特性获得负温度系数电压。输出级驱动电路包括四个PMOS管和两个NMOS管,两个PMOS管是共源共栅电流镜,另外两个NMOS管是输入对管,两个NMOS管是负载管,通过输出级驱动电路将信号电压输出。本发明提出的方法电路实现复杂度低,具有很高的实际应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN106248219A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201610565517.4

  • 发明设计人 赵毅强;赵公元;章建成;

    申请日2016-07-15

  • 分类号G01J5/06;G01K7/01;

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人李丽萍

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-06-19 01:10:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-24

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):G01J5/06 放弃生效日:20190924 申请日:20160715

    专利权的视为放弃

  • 2017-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J5/06 申请日:20160715

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    公开

    公开

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