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一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法

摘要

本发明涉及一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法,属于氮化硅粉体的制备技术领域。具体步骤为:首先在高纯硅粉中加入氮化硅稀释剂,混合均匀得到氮化反应原料,然后控制氮化反应条件得到氮化硅,最后将反应得到的氮化硅经气流磨磨细分级得到窄粒度分布的高纯氮化硅粉体。该工艺不使用添加剂,多级粒度精确配比的粒料层可以充分利用反应放出的热能,多级净化纯化保证产品纯度,是一条经济、高效、环保且可进行大规模生产的工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN106220188A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北高富氮化硅材料有限公司;

    申请/专利号CN201610606052.2

  • 发明设计人 张嵘;刘久明;

    申请日2016-07-29

  • 分类号C04B35/626;C04B35/584;C01B21/068;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 054300 河北省邢台市临城工业园区中兴大街北段路西

  • 入库时间 2023-06-19 01:05:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/626 申请公布日:20161214 申请日:20160729

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-09-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/626 申请日:20160729

    实质审查的生效

  • 2016-12-14

    公开

    公开

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