一种消除三维NAND形成过程中晶圆表面缺陷的方法

摘要

本发明涉及三维存储器领域，尤其涉及一种消除三维NAND形成过程中晶圆表面缺陷的方法，通过在多层氮氧化膜之上沉积完高密度等离子体氧化层后，先利用化学机械研磨工艺平坦化所述高密度等离子体氧化层，再在所述平坦化后的高密度等离子体氧化层之上沉积掩膜层，这样可以研磨掉高密度等离子体氧化层表面的颗粒突起，从而避免沉积掩膜层时引起缺陷，保证了后续通道孔刻蚀工艺的顺利进行。