法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-22
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R19/25 申请公布日:20160921 申请日:20160622
发明专利申请公布后的驳回
2016-10-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R19/25 申请日:20160622
实质审查的生效
2016-09-21
公开
公开
机译: 利用层转移技术制造硅/电多层半导体结构的方法,以及使用同一方法的三维多层半导体器件和叠层型图像传感器的制造方法,以及一种多层制造方法设备和堆叠式图像传感器
机译: 使用层转移技术制造硅/电介质多层半导体结构的方法,以及使用该方法制造的三维多层半导体器件和叠层型图像传感器,以及制造三维多层半导体的方法设备和堆叠式图像传感器
机译: 利用层转移技术制造硅/电多层半导体结构的方法,以及使用同一方法的三维多层半导体器件和叠层型图像传感器的制造方法,以及利用这种方法制造的多层方法设备与ST