法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-19
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/06 申请公布日:20160817 申请日:20160422
发明专利申请公布后的驳回
2016-09-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/06 申请日:20160422
实质审查的生效
2016-08-17
公开
公开
机译: 用于发光二极管的光电结构元件具有外延半导体层序列,该外延半导体层序列具有电磁辐射发射区和具有至少一个辐射可透过的氧化锌的电接触区。
机译: 具有不对称多量子阱的多波长发光二极管外延结构
机译: 基于多个稀土掺杂活性区的双异质结构(量子阱)的发光二极管