公开/公告号CN105870222A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院高能物理研究所;
申请/专利号CN201610407694.X
申请日2016-06-12
分类号H01L31/0236(20060101);H01L31/08(20060101);H01L31/18(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100049 北京市石景山区玉泉路19号乙
入库时间 2023-06-19 00:20:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-28
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/0236 申请公布日:20160817 申请日:20160612
发明专利申请公布后的驳回
2016-09-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0236 申请日:20160612
实质审查的生效
2016-08-17
公开
公开
机译: 在纳米电子和能量转换应用的柔性,双轴纹理基底上进行垂直对准的纳米柱阵列
机译: 使用镍催化剂和图案化多晶硅或硅表面改性在硅基底上选择性沉积ZnO纳米结构
机译: 使用镍催化剂和图案化多晶硅或硅表面改性,在硅基底上选择性沉积ZnO纳米结构