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导体柱及其制造方法、封装芯片的方法和芯片倒装产品

摘要

本发明涉及导体柱及其制造方法、封装芯片的方法和芯片倒装产品。一种制造导体柱的方法,包括以下步骤:使用靶材,对芯片电极的表面、或形成于芯片中的孔的孔壁、或者封装基板的线路表面进行离子注入和/或等离子体沉积处理,以形成导电籽晶层(步骤S1);以及,在导电籽晶层的上方形成柱状的导体加厚层,该导体加厚层和导电籽晶层组成导体柱(步骤S2)。

著录项

  • 公开/公告号CN105870093A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉光谷创元电子有限公司;

    申请/专利号CN201610351250.9

  • 发明设计人 张志强;杨志刚;王志建;

    申请日2016-05-25

  • 分类号H01L23/488(20060101);H01L21/60(20060101);H01L21/265(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘林华;周心志

  • 地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区关东园路18号高科大厦10楼

  • 入库时间 2023-06-19 00:20:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/488 申请日:20160525

    实质审查的生效

  • 2016-08-17

    公开

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