一种基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器

摘要

本发明涉及一种基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器，包括：Y型光波导、弧形光波导耦合器以及一环形谐振腔；Y型光波导的分叉点上设置有一用于控制入射光反射与透射的Si基结型光开关；Y型光波导分别经用于降低Si基结型光开关受串扰的第一S型弯曲波导衰减器以及第二S型弯曲波导衰减器连接至弧形光波导耦合器；弧形光波导耦合器与环形谐振腔内切设置，且在切点处设置有用于将弧形光波导耦合器中的入射光束耦合到所述环形谐振腔的微腔内的硅基全反射器。本发明所提出的一种基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器，可以利用成熟的半导体Si工艺制作实现，可作为涡旋光通信系统的编码和解码器，有着重要的经济价值。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电器件技术领域，特别是一种基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器。

背景技术

自发现涡旋光以来，探索制备涡旋光的各种实验一直是该领域的研究热点，已经相继发展了多种产生涡旋光的技术，譬如螺旋相位板，计算机全息图和圆柱形转换器等，然而这些产生涡旋光的技术都基于复杂庞大的光学系统，难以和当代的集成光通信技术兼容。近几年来利用新兴的微纳米半导体工艺，制备微型的集成化涡旋光器件，以适应当今光通信技术的需求，得到业界的重视。

产生涡旋光的微型结构可大致分为以下几种。第一种是通过直接缩小传统产生涡旋光的结构，实现尺寸微型化，其中缩小螺旋相位板就是典型例子，这类方法理论上很简单，但时常受到工艺的限制难以达到预期效果。第二种是基于等离子体涡旋镜来产生涡旋光的结构，等离子体涡旋镜在微型偏振仪、自旋轨道相互作用、显微操作和有效聚焦方面得到广泛应用。第三种是利用融合表面存在的超纳米界面来产生涡旋光，超纳米界面能够在两种不同的介质上产生相位突变，从而形成不规则的光反射或光折射，这是产生涡旋光的颖方法，但融合表面的光传输效率很低，在实际应用中面临许多挑战。还有一种利用亚波长口径和纳米夹缝的微型结构，它主要是利用自旋光到涡旋光的转换，来获得涡旋光。目前，仍然缺少能够灵活控制涡旋方向的集成化小型涡旋光发射器。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器，以克服现有技术中存在的缺陷。

为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器，包括：一Y型光波导、一弧形光波导耦合器以及一环形谐振腔；所述Y型光波导的分叉点上设置有一用于控制入射光反射与透射的Si基结型光开关；所述Y型光波导分别经用于降低所述Si基结型光开关串扰的第一S型弯曲波导衰减器以及第二S型弯曲波导衰减器连接至所述弧形光波导耦合器；所述弧形光波导耦合器与所述环形谐振腔内切设置，且在切点处设置有一用于将所述弧形光波导耦合器中的入射光束耦合到所述环形谐振腔的微腔内的硅基全反射器。

在本发明一实施例中，所述第一S型弯曲波导衰减器以及所述第二S型弯曲波导衰减器均为Z切LiNbO₃晶体电控衰减器，并且连接至所述弧形光波导耦合器。

在本发明一实施例中，所述Si基结型光开关为一可电控Si基半导体结型全内反射光开关。所述Si基结型光开关的全反射有源区域为一Si基PN结；通过改变施加在所述Si基PN结上的偏压控制载流子注入量，并通过调整载流子注入量来改变半导体有源区的折射率，直至有源区成为全反射区域，且折射率与载流子浓度的关系如下所示：

Δn＝Δn_e+Δn_h＝-[8.8×10^-22·ΔN_e+8.5×10^-18·(ΔN_h)^0.8]

其中，ΔN_e与ΔN_h分别代表注入的电子与空穴的浓度。

在本发明一实施例中，Y型光波导的分叉点上设置有一用于控制入射光反射与透射的Si基结型光开关，通过所述Si基结型光开关选择入射光束的传播路径，选择所述环形谐振腔内光束的传播方向，控制所述环形谐振腔发射左旋或右旋涡旋光。

在本发明一实施例中，所述环形谐振腔的内壁上设置有若干等间距角光栅；所述环形谐振腔的角相位匹配条件为：

ν_rad＝ν_WGM-gq

其中g的取值为1；环形谐振腔沿方位角方向的光波数ν_WGM＝β_ρR＝p，p代表方位角模数，β_p代表所述环形谐振腔的光波矢；q＝2πR/Λ表示角光栅数目，所述环形谐振腔产生的右涡旋光拓扑电荷l＝|p|-q；通过所述Si基结型光开关改变入射光方向时，所述环形谐振腔产生左涡旋光拓扑电荷l＝-|p|+q。所述角光栅的衍射光与所述环形谐振腔的谐振光束沿着方位角方向耦合，使原本受限的腔内光束辐射到自由空间，且辐射后的光束在自由空间中具有旁瓣结构，也即形成涡旋光束。

在本发明一实施例中，根据所述角光栅在所述环形谐振腔的作用，建立一个偶极子模型来代表角光栅，且在远场近似下，忽略近场项(1/r²,1/r³)，当2π/q小于0.1时，通过第一类贝塞尔函数取近似积分得到如下关系式：

由上述关系式可以建立正交圆柱贝塞尔模型，也即涡旋光发射器的远场表达式，如下所示：

其中，J_i＝J_i(-v>-1(ρ/ζ)为衍射角，第m个光栅的相位差，A为常数，R为环形光腔半径；其中l＝|p|-q是涡旋光的拓扑电荷值，p是环形谐振腔的方位角模数，q是角光栅个数；该正交圆柱贝塞尔模型的三个函数之间相差π/2或π相位，均各自独立携带因子，且该正交圆柱贝塞尔模型对应的正交圆柱贝塞尔光束携带轨道角动量。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：本发明提出一种基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器，在环形谐振腔基础上引入Y型波导、带全反射弧形光波耦合器、S型弯曲波导衰减器和一个全内反射光开关，采用带有硅基全反射的弧形光波导，把入射光束耦合到微腔中，同时减少微腔的泄漏，提高了耦合效率；采用Y型波导和一个全内反射光开关，可以改变光束进入谐振腔的方向；采用S型弯曲波导衰减器，可以有效的降低光开关带来的串扰；本发明可以利用成熟的半导体Si工艺制作实现，可作为涡旋光通信系统的编码和解码器，有着重要的经济价值。

附图说明

图1是本发明中基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器的整体结构简图。

图2(a)是Si基半导体结型全内反射光开关的结构简图。

图2(b)是Si基半导体结型全内反射光开关的俯视图。

图2(c)是Si基半导体结型全内反射光开关输入输出示意图。

图3(a)是本发明中半导体结型全内反射光开关的全内反射原理简图。

图3(b)是本发明一实施例中通过Matlab仿真后的半导体结型全内反射光开关反射率与折射率示意图。

图4是本发明实施例中半导体结型全内反射光开关有缘部分切面图，也即图2(b)的A-A视图。

图5是本发明实施例中耦合环形谐振腔的结构简图。

图6(a)是本发明实施例中相同尺寸不带角光栅环形谐振腔的一仿真图。

图6(b)是本发明实施例中相同尺寸不带角光栅环形谐振腔的微腔透射谱示意图。

图7是本发明实施例中耦合部位放置全反射层时减少漏光作用的原理图。

图8是本发明实施例中环形谐振腔的偶极子模型。

图9是本发明实施例中带有角光栅的环形谐振腔的立体结构示意图。

图10是本发明实施例中涡旋光束仿真图。

【标号说明】：1—Y型光波导；2—Si基结型光开关；3—S型弯曲波导衰减器；4—环形谐振腔；5—弧形光波导耦合器；6—硅基全反射器。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的技术方案进行具体说明。

本发明提供一种基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器，如图1所示，包括一Y型光波导1、一弧形光波导耦合器5以及一环形谐振腔4；Y型光波导1的分叉点上设置有一用于控制入射光反射与透射的Si基结型光开关2；Y型光波导经用于降低Si基结型光开关串扰的S型弯曲波导衰减器3，也即分别经第一S型弯曲波导衰减器以及第二S型弯曲波导衰减器，连接至弧形光波导耦合器；弧形光波导耦合器与环形谐振腔内切设置，且在切点处设置有一用于将弧形光波导耦合器中的入射光束耦合到环形谐振腔的微腔内的硅基全反射器6。

进一步，在本实施例中，利用Y型波导选择环形谐振腔的入射方向，并在Y型波导交叉点处制备Si基光开关。环形谐振腔是一种携带角光栅的特殊圆形微谐振腔。弧形光波导耦合器携带硅基全反射器把入射光束耦合到微腔中，同时减少微腔的泄漏，提高了耦合效率。Si基光开关，是一种Si基半导体结型全内反射光开关。S弯曲波导衰减器，采用Z切LiNbO3晶体电控衰减器，在光开关后面引入S弯曲波导衰减器，从而降低光开关的串扰。基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器，通过光开关改变入射光束的传播路径，控制环形谐振腔内光束传播方向来改变产生涡旋光束的旋转方向。

进一步，还提供制备涡旋方向可控的集成化微型环形谐振腔涡旋光发射器的方法，该微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器整体制作在SiO₂的衬底上，利用光刻腐蚀工艺在衬底上制作环形谐振腔结构和一个与环形谐振腔相切的弧形光波耦合器，并且在环形谐振腔与弧形光波导的切点处淀积一层硅薄膜，作为全反射界面。然后再SiO2衬底环形谐振腔前方淀积一层硅薄膜，并且光刻得到Y型波导，然后在Y型波导交叉处制备一个Si基半导体结型全内反射光开关，最后在环形谐振腔和Y型波导间光刻一个S弯曲沟道嵌上Z切LiNbO3晶体，并且在LiNbO3晶体两侧刻上电极。

进一步，在本实施例中，微型环形谐振腔的内环分布着一定数量的等间距角光栅结构，角光栅的衍射光与环形谐振腔的谐振光束沿着方位角方向耦合，使原本受限的腔内光束辐射到自由空间，辐射的光束在自由空间中具有旁瓣结构，也就是涡旋光束。

为了让本领域技术人员进一步了解本发明所提出的技术内容，下面结合实施例加以说明。

进一步，在本实施例中，环形谐振腔半径R＝7.5μm,波导宽度d₁＝1μm，并携带等间距的角光栅，光栅个数q＝77,与环腔相切的弧形光波导耦合器的宽度为1μm，在弧形光波导耦合器上制备一个硅材质的全反射层。Y型波导宽度d₂＝3μm,高度h＝1μm,分叉角度θ＝3°，并且在分叉点制备Si半导体结型全内反射光开关，起到改变环形谐振腔光束输入方向的作用。Si半导体结型全内反射光开关，利用电控半导体结型结构来改变光束的传播方向，并在输出端接入S弯曲波导衰减器，S弯曲波导的材质为Z切LiNbO₃晶体，弯曲波导宽度由3μm渐进过渡到1μm，在尺寸上起到Y型波导和弧形光波导的合理连接的作用，在功能上起到降低光开关带来的串扰的作用。

进一步，在本实施例中，如图2(a)、图2(b)和图2(c)所示的Si基半导体结型全内反射光开关的结构简图，如图2(a)所示的Si基全内反射光开关置于Y型波导分叉点，其中波导宽度为3μm，波导分叉角度为3°。图2(b)是光开关有缘部分的切面图和整个光开关的俯视示意图，对图2(a)的结构进行了进一步直观的描述，图2(a)中虚线部分是由Si基PN结所形成的全内反射层，具体的样子如图2(b)中有缘部分切面图所示PN结中P区和N区的参杂浓度为10²⁰/cm³，其中P区厚度为100nm，宽度为0.5μm，N区厚度为500nm，宽度为0.5μm，阴极和阳极分别在波导和Si面上渡上相应长度的铝条，全反射层长度约为6μm，全反射层上端是多晶硅材质的光波导，在它们中间有一层厚度约为2nm的SiO₂隔离层，限制载流子的扩散，提高载流子的注入效应，提高全反射层的折射率，能够实时改变光路传播方向的作用，图2(c)所示的Si基结型全内反射光开关是利用半导体材料形成一个折射率可变区域，来通过改变区域的透射或全反射的方式来改变光束的方向的输入光与输出光示意图。其中S曲线衰减器是一种Z切LiNbO₃晶体，晶体波导宽度由3μm向1μm过渡，在尺寸上起到更好的衔接弧形光波导和Y型光波导的作用，并且利用其电光效应，通过施加一定的电压来衰减掉干扰光，起到有效的降低光开关的串扰的作用。

进一步，在本实施例中，如图3(a)以及图3(b)所示所示，针对半导体结型全内反射光开关的原理结构简图，半导体结型全内反射光开关的主要原理是通过改变波导分叉部位的折射率来形成一个全反射区域，从而实现光路的转换，起着光开关功能。这种光开关的基本原理如图3(a)所示的反射模型，利用有效折射率n_eff来代替n₁在相应的条件下，可以得到公式(1)所示的全内反射的反射率公式。

$R=\frac{{(n_{eff}^2-n_2^2)}^2{\mathrm{sh}}^2{k}_{q}d}{{(n_{eff}^2-n_2^2)}^2{\mathrm{sh}}^2{k}_{q}d+4n_{eff}^2{\cos }^2(\pi /2-\theta )[n_{eff}^2{\sin }^2(\pi /2-\theta )-n_2^2]}---\left(1\right)$

相应的折射率T＝1-R，式中k_q如公式(2)所示。

$k_q=\frac{2\pi }{\lambda }{[n_{eff}^2{\sin }^2(\pi /2-\theta )-n_2^2]}^2---\left(2\right)$

由公式(1)和(2)可知当n_eff＝n₂时，R＝0,T＝1此时光直接通过直波导传播。在θ＝1.5°,λ＝1550nm,d＝1μm时，如图3(b)所示利用MATLAB仿真得到当n_eff-n₂＞＝0.01时R＝1,T＝0此时形成一个全反射区域，这时光路全反射通过另外一个波导传输。如公式(3)表示折射率n₁的TE模本征方程。

$tan(2aq-N\pi )=\frac{(p+r)q}{q^2-pr}---\left(3\right)$

其中，是平板波导的宽度。然后针对光开关的串扰及损耗的定义得到公式(4)。

$\left(\begin{array}{c}CT=10log\frac{P_{3\left(on\right)}}{P_{2\left(on\right)}}=10log\frac{T}{R}=10log\frac{1-R}{R}\\ L_b=10log\frac{P_{1\left(on\right)}}{P_{3\left(on\right)}}=10log\frac{1}{R}\end{array}\right)---\left(4\right)$

其中，CT表示串扰，L_p表示损耗。结合公式(4)，(3)和(1)确定最佳性能时波导宽度和反射面宽度之间的关系由于θ很小，则d₃≈2d₁。

进一步，在本实施例中，整个光开关的核心部分基于有源区全反射的Si基PN结光开关。通过改变施加在PN结上的偏压来控制载流子注入量，进一步改变半导体有源区的折射率，直至有源区形成全反射区域。有源区的折射率和载流子浓度的关系如公式(5)。

$\Delta n={\mathrm{\Delta n}}_e+{\mathrm{\Delta n}}_h=-[8.8\times {10}^{-22}·{\mathrm{\Delta N}}_e+8.5\times {10}^{-18}·{\left({\mathrm{\Delta N}}_h\right)}^{0.8}]---\left(5\right)$

其中，ΔN_e和ΔN_h分别代表注入的电子与空穴的浓度，在本实施例中，要求的折射率下降值为0.01。如图4所示，全内反射光开关有源部分的横切图，其中，PN结用Si材料制作，P区和N区的参杂浓度为10²⁰/cm³，其中P区的厚度为100nm，宽度为0.5μm，N区的厚度为500nm，宽度为0.5μm，阴极和阳极分别在波导和Si面上渡上相应长度的铝条，多晶硅和PN结中间的反射界面是一层SiO₂隔离层，通过对Si氧化处理得到。利用这个SiO₂隔离层来限制载流子的扩散，从而提高载流子的注入效应，利用较小电流(30mA)实现光路开关的作用。当不加偏置电压时光束通过直波导从E₂端输出，当加上1.2V的偏压时，全内反射区域折射率下降，光束被反射界面全反射，从E₁端输出。在这种全内反射光开关的输出部分加上相应的S弯曲波导衰减器，起到减小串扰和尺寸上更好的链接Y型光波导和弧形光波导的耦合器作用，这种S弯曲波导衰减器利用Z切LiNbO₃晶体的电效应，当两边加入10V的电压时可以达到30dB的衰减。

进一步，如图5所示，为利用传输矩阵法对环形谐振腔数值分析简易图，图中，C₁代表直波导与环形谐振腔的耦合区域，公式(6)是用2×2的矩阵来表示C₁。

$C_i=\left(\begin{array}{cc}{r}_i& {\mathrm{ik}}_i\\ {\mathrm{ik}}_i& r_i\end{array}\right),i=1---\left(6\right)$

其中，r_i表示光透过耦合区域的透光系数；k_i表示光透过偶和区域的耦合系数。不考虑偶和区域损耗的情况下，耦合区输出场的振幅包络E₄和E₅可以用输入场的振幅包络E₆和E₃表示，具体地表示方法如公式(7)所示。

$\left(\begin{array}{c}{E}_5\\ E_4\end{array}\right)=C_1\left(\begin{array}{c}{E}_6\\ E_3\end{array}\right)---\left(7\right)$

其中是环形谐振腔内传播光波，E₈可以表示为公式(8)所示。

式中a₁＝exp(-α₁L/2)表示谐振腔的衰减系数，这里α₁为损耗，L＝2πR为环形谐振腔周长，n_eff为波导有效折射率，c为光速:表示环形光谐振腔的单通相移，当光腔的单通相移(p为整数时)，谐振腔处于完全谐振状态。

进一步，环形谐振腔的性能指标包括：谐振波长λ_m，自由光谱范围(FSR)，谐振峰半宽Δv，精细度F，Q因子。分别用公式(9)表示。

$\left(\begin{array}{c}{\lambda }_m=2{\mathrm{\pi n}}_{e}R/m\\ FSR=c/2{\mathrm{\pi n}}_{e}R\\ \Delta v\approx \frac{c}{2{\pi }^2{n}_{e}R}·\frac{k^2}{\sqrt{1-k^2}}\\ F=\frac{FSR}{\Delta v}=\frac{\pi \sqrt{1-k^2}}{k^2}\\ Q=\frac{2{\pi }^2{n}_{e}R\sqrt{1-k^2}}{{\lambda }_m{k}^2}\end{array}\right)---\left(9\right)$

其中，R为环的半径，n_e为有效折射率，k²为环形腔与直波导间耦合器的分束比。由公式(9)可知环形谐振腔的半径和分束比是影响环形谐振腔性能的基本参数。

利用上述理论推导环形谐振腔的性能参数，结合光开关的波导材料，设置环形谐振腔的参数：半径R＝7.5μm，波导宽度d₁＝1μm,波导材料(SiO₂)折射率n_e＝1.42。由于波导材料为SiO₂的环形谐振腔在入射波波长λ＝1.55μm时耦合效果最好，利用这些参数结合OptiFDTD软件仿真得到结果如图6所示，图6(a)是光路在谐振腔结构的传播图，图6(b)是微腔的透射谱。

进一步，如图7所示，利用全反射模型定性分析针对环形谐振腔与弧形光波导的切点设置全反射层的结构。图中真空中的折射率n₁≈1；SiO₂光波导的折射率n₂≈1.42；全反射层为折射率n₃≈3.5的Si单晶。全反射的临界角约为25°。此时图中的α₂≈65°，进一步根据真空和光波导的折射率计算得到α₁≈40°，由于已知环腔半径R＝7.5μm，如图所示，环形谐振腔与弧形光波导耦合器的距离为0.1μm选定光波导的宽度为1μm，全反射层宽度为0.5μm。环形谐振腔在虚线区域的漏光会经过全反射层，反射进入环形谐振腔，这样减少微腔的泄漏，减少图5中环形谐振腔的耦合光束E₆的泄漏分量，确保绝大部分耦合光保留在谐振腔中，提高了环形谐振腔的工作效率。

进一步，由以上关于环形谐振腔与产生涡旋光拓扑电荷的关联推导，针对环形谐振腔，建立一个如图8所示的偶极子模型来进一步分析产生涡旋光光场的表达式。根据角光栅在环形谐振腔起到的特殊的作用，把每个角光栅用偶极子来表示。得到在所有偶极子作用下的光场表达式如公式(10)所示。

其中，A＝P₀/(4πε₀)，r_m是第m个偶极子到Q点的距离。是P_mQ方向上单位失量。P_m是第m个偶极子。

在远场时近场项(1/r²,1/r³项)可以被忽略从而得到公式(11)。

其中Φ(ρ,ζ)＝exp{jv[ζ+(ρ²+1)/2ζ］}是传播相位因子。Θ＝tan^-1(ρ/ζ)是衍射角。而是Q点和第m个角光栅的方位角夹角。当2π/q远小于1时用第一类贝塞尔函数取近似积分可到关系式(12)。

通过公式(18)和贝塞尔间的转换关系式推导可以得到一组公式(13)。

其中，J_i＝J_i(-vtanΘ)。公式(13)是根据圆柱坐标建立的正交圆柱贝塞尔模型。可以看出，公式(13)的三个函数之间相差π/2或π相位，并且都携带因子，说明这种正交圆柱贝塞尔光束携带轨道角动量。

进一步，如图9所示，是本实施例中采用的携带等间距的角光栅的环形谐振腔结构。为了满足环形谐振腔周期性共振的相位匹配，存在离散的方位角波数ν_WGM＝β_pR＝p。p代表方位角模数或者表示为环形谐振腔上光周期数，β_p代表所述环形谐振腔的光波矢。在本实施例中，环形谐振腔主要考虑环腔的回音壁模和辐射模的耦合关系，并且通过耦合理论来描述，也就是把周期性变化的介电常数等效为一个稳定环形谐振腔和存在角光栅的非稳定环形谐振腔的耦合，如公式(14)所示。

ε(r,z,θ)＝ε_a(r,z)+Δε(r,z,θ)>

其中ε_a(r,z)是稳定环形谐振腔的介电常数，Δε(r,z,θ)是非稳定环形谐振腔的介电常数。

稳定环形谐振腔的本征模沿θ方向的传播为其中β_m是波数，ω是角频率。由稳定结构模的线性组合公式(15)来表示非稳定环形谐振腔的本征模。

$E=\underset{m}{\Sigma }{A}_m\left(\theta \right)E_m(r,z)e^{i(\omega t-v_m\theta )}---\left(15\right)$

非稳定的环形谐振腔的介电常数还可以表示为：

$\Delta ϵ(r,z,\theta )=\underset{g\ne 0}{\Sigma }{ϵ}_g(r,z)e^{igq\theta }---\left(16\right)$

其中，q＝2πR/Λ表示角光栅个数，g为整数。

联立公式(14)—(16)可以得到公式(17)。

ν_rad＝ν_WGM-gq,g＝±1,±2......>

公式(17)是角相位匹配条件，g可以取很多值，当辐射模在自由空间时，光矢量g要满足公式(18)的条件。

β_WGM-β₀＜qg＜β_WGM+β₀>

其中，β_WGM和β₀分别表示环腔内和真空中的光矢量，n_eff≈2.5是波导的有效折射率，并且右旋光矢量为正方向综合(18)和本发明的需要，环形谐振腔的参数g的取值在0.6～1.5之间,实际取g＝1。结合前面所提到的ν_WGM＝p，得到公式(19)。

ν_rad＝p-q>

本发实施例中环形谐振腔产生的涡旋光拓扑电荷l＝|p|-q。由于环形谐振腔结构为微米级，也即环腔半径R＝7.5μm，相应的q＝77是固定的。为了产生不同拓扑电荷的涡旋光，满足用涡旋光的拓扑电荷进行光通信编码的需求，只能通过改变p(p＝2πRn_eff/λ)值来实现，也就是改变谐振环的光程L与入射光波长λ的整倍数关系。

进一步的，根据环形谐振腔的特性，当入射光反向时，环形谐振腔左旋光矢量此时p取负值，公式(18)的g＝-1，得到涡旋光拓扑电荷l＝-|p|+q，和一开始的正方向的入射光产生的涡旋光结构相比，可以直观的表示为一个反向的入射光产生的一个左旋的涡旋光，而旁瓣数是相同的。而改变入射光的方向可以通过图2所示的全内反射光开关来实现。图10是仿真结果得到的涡旋光图，从左到右依次是l＝-1,l＝0,l＝1。

本发明可以通过切换全内反射光开关来改变光束传播路径，选择性的产生l＝1或l＝-1的涡旋光，方法简便实用，可以为涡旋光通信编码带来极大便利。

以上是本发明的较佳实施例，凡依本发明技术方案所作的改变，所产生的功能作用未超出本发明技术方案的范围时，均属于本发明的保护范围。