非挥发性存储单元、与非型非挥发性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储单元、与非型非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储单元的制作方法包括以下步骤。在一基底上依序形成一绝缘层、一第一导体层、一栅间绝缘层、一第二导体层以及一硬掩模层。图案化硬掩模层、第二导体层、栅间绝缘层与第一导体层，以形成一堆叠栅极结构。移除堆叠栅极结构两侧的基底上的绝缘层，直至暴露出基底表面。移除堆叠栅极结构两侧的部分基底，以于基底中形成两个凹槽，每一凹槽延伸至堆叠栅极结构下方。在凹槽下方的基底中形成一源极与漏极区。